目前等直徑硅碳棒的生產(chǎn)工藝有兩種，老工藝與新工藝，區(qū)別方法在與從燒結(jié)方式上。浙江半導體生長爐老工藝采用的是埋藏反應燒結(jié)，新工藝采用的是高溫真空爐燒結(jié)。由于埋藏燒制需要用煤，對環(huán)境有一定的污染，好多都已取締，大多采用新工藝制作。浙江半導體生長爐比如在鋁廠，玻璃廠，釩氮合金，反光材料產(chǎn)品燒結(jié)中會產(chǎn)生一定的腐蝕氣體，老工藝比新工藝元件的耐腐蝕性要好。等直徑硅碳棒元件是很高的純度以碳化硅為主要原料，加入工業(yè)硅，碳粉等材料。經(jīng)過成型，烘干，高溫燒結(jié)等多道工序而制成的一種非金屬棒狀高溫電熱元件。

臺車式退火爐是通過熱處理可以改變鋼的組織結(jié)構(gòu)，從而改善鋼的性能。浙江半導體生長爐熱處理可以顯著提高鋼的機械性能，延長機器零件的使用壽命。浙江半導體生長爐恰當?shù)臒崽幚砉に嚳梢韵T、鍛、焊等熱加工工藝造成的各種缺陷，細化晶粒、消除偏析、降低內(nèi)應力，使鋼的組織和性能更加均勻。臺車式退火爐處理的均勻鋼的化學成分及組織，細化晶粒，調(diào)整硬度，并消除內(nèi)應力和加工硬化，改善鋼的切削加工性能并為隨后的淬火作好組織準備。生產(chǎn)上常用的退火操作有完全退火、等溫退火、球化退火、去應力退火等。

當塑料品存在薄和厚位置的連接部位，厚的部位降溫慢、薄的部位降溫快些，則連接處發(fā)生不均勻收縮，結(jié)果就導致應力集中現(xiàn)象。浙江半導體生長爐在有金屬鑲件的四周，這種現(xiàn)象更明顯。浙江半導體生長爐剛出模的時候表面上無異常，過段時間，也許是幾天，也許是半年或更長，在外因作用，下溫度，壓力，極性溶液等，應力集中部位會產(chǎn)生裂紋，甚至開裂或者變形。為了消除或減少成型制品中的內(nèi)應力、避免制品在貯存或應用時產(chǎn)生較大的變形或開裂，對成型后的一些制品要進行退火處理。

工件加熱到高于Ac3或Ac1的溫度，保持適當時間后，較快的冷卻到珠光體轉(zhuǎn)變溫度區(qū)間的適當溫度并等溫保持，使奧氏體珠光體組織后在空氣中冷卻的退火。浙江半導體生長爐等溫退火的奧氏體化溫度一般與完全退火相同，對于合金含量較高的大型鑄鍛件可適當提高加熱溫度。浙江半導體生長爐等溫溫度越低，退火后的硬度越高。 等溫退火后的組織與硬度均勻性優(yōu)于完全退火，比較適合于與大型合金鋼鑄件。

通過風機的循環(huán)使退火爐的爐腔內(nèi)溫度分布均勻，退火爐的兩個爐腔室是可以獨自運行的，提高了退火效率，每個爐腔內(nèi)都有兩臺風機，卻沒有空氣過濾裝置，跟實際情況有出入。浙江半導體生長爐通過風機循環(huán)使爐內(nèi)溫度分布均勻，通過熱處理重組薄膜材料微觀結(jié)構(gòu)，提高穩(wěn)定性及轉(zhuǎn)化效率。浙江半導體生長爐將鑄件加熱到九百五十攝氏度左右 ，保溫一定時間后適當冷卻，用以消除鋼鐵鑄件和焊接件的內(nèi)應力。對于鋼鐵制品加熱后開始形成奧氏體的溫度以下一百到二百攝氏度，保溫后在空氣中冷卻，即可消除內(nèi)應力。