當塑料品存在薄和厚位置的連接部位，厚的部位降溫慢、薄的部位降溫快些，則連接處發(fā)生不均勻收縮，結果就導致應力集中現(xiàn)象。福建半導體外延生長爐在有金屬鑲件的四周，這種現(xiàn)象更明顯。福建半導體外延生長爐剛出模的時候表面上無異常，過段時間，也許是幾天，也許是半年或更長，在外因作用，下溫度，壓力，極性溶液等，應力集中部位會產(chǎn)生裂紋，甚至開裂或者變形。為了消除或減少成型制品中的內應力、避免制品在貯存或應用時產(chǎn)生較大的變形或開裂，對成型后的一些制品要進行退火處理。

原燃料質量波動一是大量使用國內低品位劣質礦，燒結礦品位只有百分之四十七，含量有時高達百分之八十五以上，堿金屬含量特高，一般高出標準五倍以上；福建半導體外延生長爐二是退火爐爐料結構變化大，福建半導體外延生長爐二零一二年年元月份球團車間檢修，大量配加低品質馬來西亞塊礦；三是燒結礦質量下降，強度、低溫還原粉化、還原性都變差，同時由于燒結蒸氣不足，混和料溫低，燒結機漏風嚴重，造成燒結礦產(chǎn)量、質量下降。

目前等直徑硅碳棒的生產(chǎn)工藝有兩種，老工藝與新工藝，區(qū)別方法在與從燒結方式上。福建半導體外延生長爐老工藝采用的是埋藏反應燒結，新工藝采用的是高溫真空爐燒結。由于埋藏燒制需要用煤，對環(huán)境有一定的污染，好多都已取締，大多采用新工藝制作。福建半導體外延生長爐比如在鋁廠，玻璃廠，釩氮合金，反光材料產(chǎn)品燒結中會產(chǎn)生一定的腐蝕氣體，老工藝比新工藝元件的耐腐蝕性要好。等直徑硅碳棒元件是很高的純度以碳化硅為主要原料，加入工業(yè)硅，碳粉等材料。經(jīng)過成型，烘干，高溫燒結等多道工序而制成的一種非金屬棒狀高溫電熱元件。

采用新型的燃燒技術，如脈沖燃燒技術、高溫空氣燃燒技術、富氧燃燒技術等。福建半導體外延生長爐脈沖燃燒技術是近年來開發(fā)的一項行之有效的降低氮氧化合物的技術，燒嘴采用間斷燃燒的方式，一旦工作，就處于滿負荷狀態(tài)。福建半導體外延生長爐當需要升溫時，燒嘴燃燒時間加長，間斷時間減少；需要降溫時，燒嘴燃燒時間減少，間斷時間加長。通過調節(jié)燃燒時間的占空比實現(xiàn)窯爐的溫度控制，燃料流量可通過壓力調整預先設定，無需在線調整，即可實現(xiàn)空氣過剩系數(shù)的控制。故脈沖燃燒技術傳熱效率高、能耗低、爐內溫度場均勻性好，這些均有利于減少氮氧化合物的生成。