一般來講，鉬棒連續(xù)使用比斷續(xù)使用壽命要長得多，這是因為在硅鉬棒冷卻過程中損壞大。湖南半導體生長爐如果當電熱裝置停止工作，應當保持裝置處于熱狀態(tài)湖南半導體生長爐硅鉬棒運行的環(huán)境，硅鉬棒在氧化環(huán)境如空氣、氧、水汽或二氧化碳中時，硅鉬棒元件的壽命長，若硅鉬棒由于氧化層在冷卻時輕易剝落，使用前必須把元件重新氧化一次硅碳棒會隨著溫度變高，表面的氧化速度會越快，壽命會越短！在使用的過程中，盡量選擇并聯(lián)，這樣可以避免由于電阻負荷集中，造成損壞的情況

工件加熱到高于Ac3或Ac1的溫度，保持適當時間后，較快的冷卻到珠光體轉(zhuǎn)變溫度區(qū)間的適當溫度并等溫保持，使奧氏體珠光體組織后在空氣中冷卻的退火。湖南半導體生長爐等溫退火的奧氏體化溫度一般與完全退火相同，對于合金含量較高的大型鑄鍛件可適當提高加熱溫度。湖南半導體生長爐等溫溫度越低，退火后的硬度越高。 等溫退火后的組織與硬度均勻性優(yōu)于完全退火，比較適合于與大型合金鋼鑄件。

當塑料品存在薄和厚位置的連接部位，厚的部位降溫慢、薄的部位降溫快些，則連接處發(fā)生不均勻收縮，結(jié)果就導致應力集中現(xiàn)象。湖南半導體生長爐在有金屬鑲件的四周，這種現(xiàn)象更明顯。湖南半導體生長爐剛出模的時候表面上無異常，過段時間，也許是幾天，也許是半年或更長，在外因作用，下溫度，壓力，極性溶液等，應力集中部位會產(chǎn)生裂紋，甚至開裂或者變形。為了消除或減少成型制品中的內(nèi)應力、避免制品在貯存或應用時產(chǎn)生較大的變形或開裂，對成型后的一些制品要進行退火處理。

該爐是供金屬機件、環(huán)件等在額定的溫度下進行熱處理設(shè)備簡介：本爐是由爐體與一個可移動的爐蓋及控制系統(tǒng)組成。爐體外殼采用型鋼及鋼板焊接而成。湖南半導體生長爐爐蓋支撐采用型鋼和導軌組合移動式。元件采用北京首鋼產(chǎn)的高電阻合金0Cr25Al5布置在爐側(cè)。爐底由于承重采用高鋁磚砌筑，爐子中心采用大圈套小圈做法，里外加熱。湖南半導體生長爐爐蓋采用液壓升降，電機控制自動行走。溫控系統(tǒng)采用PID可控硅控制，精度高。

將工件完全奧氏體化后緩慢冷卻，接近平衡組織的退火。完全退火奧氏體化溫度一般選為Ac3加三十攝氏度到五十攝氏度，對于某些高合金鋼，為使碳化物固溶應適當提高奧氏體化溫度。為了改善低碳鋼的切削性能，可采用九百攝氏度到一百攝氏度的晶粒粗化退火。為了消除亞共析鋼鍛件、鑄件、焊接件的粗大魏氏組織，需將奧氏體化溫度提高到一千一百攝氏度到一千兩百攝氏度，隨后補充進行常規(guī)完全退火。?

均勻化退火又稱擴散退火。湖南半導體生長爐應用于鋼及非鐵合金如錫青銅、硅青銅、白銅、鎂合金等的鑄錠或鑄件的一種退火方法。將鑄錠或鑄件加熱到各該合金的固相線溫度以下的某一較高溫度，長時間保溫，然后緩慢冷卻下來。湖南半導體生長爐均勻化退火是使合金中的元素發(fā)生固態(tài)擴散，來減輕化學成分不均勻性偏析，主要是減輕晶粒尺度內(nèi)的化學成分不均勻性晶內(nèi)偏析或稱枝晶偏析。均勻化退火溫度所以如此之高，是為了加快合金元素擴散，盡可能縮短保溫時間