退火爐是用于制造半導體器件的過程，該過程包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。 熱處理旨在實現(xiàn)不同的效果。 可以加熱晶圓以激活摻雜劑，將薄膜轉(zhuǎn)化為薄膜，或者將薄膜轉(zhuǎn)化為晶圓基材界面，制成致密沉積的薄膜，改變生長薄膜的狀態(tài)，修復(fù)注入的損傷，移動摻雜劑或涂料 藥劑從一個膜轉(zhuǎn)移到另一膜或從膜轉(zhuǎn)移到晶片襯底。

退火爐可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，也可以單獨處理。 退火爐由專門設(shè)計用于加熱半導體晶片的設(shè)備完成。 退火爐是一種具有超節(jié)能結(jié)構(gòu)和纖維結(jié)構(gòu)的節(jié)能循環(huán)式操作爐，可節(jié)電60％。

退火爐是一種金屬熱處理工藝，可將工件加熱到預(yù)定溫度并在一定時間后緩慢冷卻。

詳情如下所示：

1.改善或消除鋼在鑄造，鍛造，軋制和焊接過程中引起的各種結(jié)構(gòu)缺陷和殘余應(yīng)力，并防止工件變形和開裂。

2.軟化要切割的工件。

3.細化晶粒并改善結(jié)構(gòu)，以改善工件的機械性能。

4.準備組織進行最終熱處理（淬火，回火）。

退火爐的工作原理：

通過風扇的循環(huán)，退火爐的爐腔內(nèi)的溫度分布均勻地分布。 退火爐的兩個爐腔可以獨立運行，提高了退火效率。 每個爐腔中有兩個風扇，但沒有空氣過濾器，與實際情況有所不同。 通過風扇循環(huán)使爐內(nèi)溫度分布均勻，并通過熱處理重組薄膜材料的微觀結(jié)構(gòu)，以提高穩(wěn)定性和轉(zhuǎn)化效率。 將鑄件加熱到大約950°C，并在一定時間后冷卻以消除鋼鑄件和焊件的內(nèi)部應(yīng)力。 對于鋼材，奧氏體開始形成的溫度比該溫度低100至200°C，冷卻后，可通過在空氣中冷卻來消除內(nèi)部應(yīng)力。